半導(dǎo)體器件與集成電路硅單晶廢棄片的回收利用方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200610049528.3 申請日 -
公開（公告）號 CN1806949A 公開（公告）日 2006-07-26
申請公布號 CN1806949A 申請公布日 2006-07-26
分類號 B09B3/00(2006.01) 分類 固體廢物的處理；被污染土壤的再生〔3，6〕;
發(fā)明人 劉培東 申請（專利權(quán)）人 浙江東源電子有限公司
代理機構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 張法高
地址 310013浙江省杭州市玉古路147號浙江大學(xué)求是村黃鴻年科技綜合樓720室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件與集成電路硅單晶廢棄片的回收利用方法。它是將半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體集成電路廢棄硅片用HCl、H2SO4去除鎂、鋁、錳、鋅、鉻、鐵、鎳、錫、鉛比氫活潑的金屬，用HNO3去除銅、汞、銀過渡金屬，用濃HCl和濃HNO3的混合酸溶解并回收金和鉑，用濃HF和濃HNO3的混合酸去除金屬硅化物、硅氧化物、硅氮化物，再用單面減薄、雙面研磨減薄的方法以去除器件工藝中的有源區(qū)，得到原有電阻率的硅片，再經(jīng)過拋光、清洗、分類、檢測、分檔，生產(chǎn)出硅單晶拋光片。本發(fā)明有效利用了半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體集成電路的廢棄硅片，有利于資源的循環(huán)利用和降低半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)成本。