應(yīng)用集成電路廢棄硅片生產(chǎn)太陽(yáng)能電池用硅片的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200510062114.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN1810394A 公開（公告）日 2006-08-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN1810394A 申請(qǐng)公布日 2006-08-02
分類號(hào) B09B3/00(2006.01) 分類 固體廢物的處理；被污染土壤的再生〔3，6〕;
發(fā)明人 劉培東 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江東源電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 劉培東;浙江東源電子有限公司
地址 310027浙江省杭州市西湖區(qū)玉古路147號(hào)浙大求是村黃鴻年科技綜合樓720室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種應(yīng)用集成電路廢棄硅片生產(chǎn)太陽(yáng)能電池用硅片的制造方法。它是將集成電路廢棄硅片用HCl、H2SO4去除鎂、鋁、錳、鋅、鉻、鐵、鎳、錫、鉛比氫活潑的金屬，用HNO3去除銅、汞、銀過(guò)渡金屬，用HF、HNO3混酸去除金屬硅化物、硅氧化物、硅氮化物，再用單面減薄、雙面研磨減薄的方法以去除器件工藝中的有源區(qū)，得到原有電阻率的硅片，并經(jīng)清洗、分類、檢測(cè)、分檔，生產(chǎn)出太陽(yáng)能電池用的硅片。本發(fā)明有效利用了集成電路生產(chǎn)中的廢棄的硅片，經(jīng)過(guò)一系列處理，除去了硅片一定厚度內(nèi)的硅物理層，同時(shí)將這一部分的雜質(zhì)及結(jié)構(gòu)變異一同除去，所得到的硅片比一般的太陽(yáng)能硅片具有更少的雜質(zhì)和更完整晶體結(jié)構(gòu)，生產(chǎn)出的太陽(yáng)能器件具有更高的光電轉(zhuǎn)換效率。