重?fù)焦柚辛?、砷、銻、硼的去除裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200810059805.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101306817B 公開（公告）日 2010-06-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN101306817B 申請(qǐng)公布日 2010-06-02
分類號(hào) C01B33/037(2006.01)I 分類 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 劉培東 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江東源電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 張法高
地址 310012 浙江省杭州市西湖區(qū)山水人家美林泉1棟3單元201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種重?fù)焦柚辛住⑸?、銻、硼的去除方法及其裝置，它是將半導(dǎo)體工業(yè)中廢棄的重?fù)焦璧膱宓琢?、頭尾料、邊角料、破碎片，在高溫下加熱熔化，通過在硅熔體中通惰性氣體He、Ne、Ar，用吹氣鼓泡促進(jìn)蒸發(fā)的方法，降低硅中摻雜劑的磷、砷、銻、硼的濃度，以達(dá)到將半導(dǎo)體重?fù)焦栌糜谔?yáng)能硅的原料。本發(fā)明通過在普通的直拉硅單晶爐上附加一個(gè)吹氣鼓泡裝置和取樣勺，采用控制蒸發(fā)溫度和吹氣鼓泡時(shí)間，可實(shí)現(xiàn)對(duì)硅中雜質(zhì)的有效控制和隨時(shí)檢測(cè)，當(dāng)N型雜質(zhì)總濃度小于5×1016atms/cm3，或P型雜質(zhì)總濃度小于1×1017atms/cm3，對(duì)應(yīng)電阻率大于0.1Ω.cm時(shí)，半導(dǎo)體重?fù)焦璧膹U棄料，可用于拉制太陽(yáng)能硅單晶的原料。本發(fā)明簡(jiǎn)單易行，操作方便，可實(shí)現(xiàn)廢棄硅的循環(huán)利用。