半導(dǎo)體器件與集成電路硅單晶廢棄片的回收利用方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200610049528.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN100490185C 公開（公告）日 2009-05-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN100490185C 申請(qǐng)公布日 2009-05-20
分類號(hào) H01L31/04(2006.01)I;B09B3/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉培東 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江東源電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 張法高
地址 310013浙江省杭州市玉古路147號(hào)浙江大學(xué)求是村黃鴻年科技綜合樓720室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件與集成電路硅單晶廢棄片的回收利用方法。它是將半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體集成電路廢棄硅片用HCl、H2SO4去除鎂、鋁、錳、鋅、鉻、鐵、鎳、錫、鉛比氫活潑的金屬，用HNO3去除銅、汞、銀過渡金屬，用濃HCl和濃HNO3的混合酸溶解并回收金和鉑，用濃HF和濃HNO3的混合酸去除金屬硅化物、硅氧化物、硅氮化物，再用單面減薄、雙面研磨減薄的方法以去除器件工藝中的有源區(qū)，得到原有電阻率的硅片，再經(jīng)過拋光、清洗、分類、檢測(cè)、分檔，生產(chǎn)出硅單晶拋光片。本發(fā)明有效利用了半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體集成電路的廢棄硅片，有利于資源的循環(huán)利用和降低半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)成本。