重摻硅中磷、砷、銻、硼的去除方法及其裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200810059805.8 申請日 -
公開（公告）號 CN101306817A 公開（公告）日 2008-11-19
申請公布號 CN101306817A 申請公布日 2008-11-19
分類號 C01B33/037(2006.01) 分類 無機化學;
發(fā)明人 劉培東 申請（專利權(quán)）人 浙江東源電子有限公司
代理機構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 張法高
地址 310012浙江省杭州市西湖區(qū)山水人家美林泉1棟3單元201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種重摻硅中磷、砷、銻、硼的去除方法及其裝置，它是將半導體工業(yè)中廢棄的重摻硅的堝底料、頭尾料、邊角料、破碎片，在高溫下加熱熔化，通過在硅熔體中通惰性氣體He、Ne、Ar，用吹氣鼓泡促進蒸發(fā)的方法，降低硅中摻雜劑的磷、砷、銻、硼的濃度，以達到將半導體重摻硅用于太陽能硅的原料。本發(fā)明通過在普通的直拉硅單晶爐上附加一個吹氣鼓泡裝置和取樣勺，采用控制蒸發(fā)溫度和吹氣鼓泡時間，可實現(xiàn)對硅中雜質(zhì)的有效控制和隨時檢測，當N型雜質(zhì)總濃度小于5×1016atms/cm3，或P型雜質(zhì)總濃度小于1×1017atms/cm3，對應(yīng)電阻率大于0.1Ω.cm時，半導體重摻硅的廢棄料，可用于拉制太陽能硅單晶的原料。本發(fā)明簡單易行，操作方便，可實現(xiàn)廢棄硅的循環(huán)利用。