一種減少位錯(cuò)缺陷及多晶占比的鑄造晶硅制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011154191.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114481319A 公開（公告）日 2022-05-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN114481319A 申請(qǐng)公布日 2022-05-13
分類號(hào) C30B29/06（2006.01）I;C30B11/14（2006.01）I;C30B28/06（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 許志 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 福建新峰二維材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 362000福建省泉州市臺(tái)商投資區(qū)東園鎮(zhèn)東經(jīng)2路辦公路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種減少位錯(cuò)缺陷及多晶占比的鑄造晶硅制備方法，方法如下：直拉單晶圓棒去除邊皮后得到無(wú)圓角的單晶方棒；垂直晶硅生長(zhǎng)方向?qū)尉Х桨羟懈畛纱笞丫K；所述單晶方棒或邊皮切割成小籽晶塊；將所述大、小籽晶塊鋪設(shè)在坩堝底部，形成完整的籽晶層；在籽晶層上放置原生多晶硅料、單晶邊皮及頭尾邊等循環(huán)料；將裝滿多晶硅料的坩堝放入鑄錠爐中，采用半融工藝得到鑄造單晶硅錠或多晶硅錠；將硅錠進(jìn)行開方，開方后得到小方錠；將小方錠進(jìn)行切片后得到鑄造單晶硅片或多晶硅片。本發(fā)明使小、大籽晶塊接縫處形成功能晶界阻止坩堝四周的多晶晶粒往內(nèi)部生長(zhǎng)，能夠顯著改善鑄造單晶硅片的位錯(cuò)缺陷及多晶占比，從而改善鑄造單晶硅片質(zhì)量。