超結器件
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201610664915.1 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN106229343A | 公開(公告)日 | 2016-12-14 |
| 申請公布號 | CN106229343A | 申請公布日 | 2016-12-14 |
| 分類號 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 曾大杰 | 申請(專利權)人 | 上海鼎陽通半導體科技有限公司 |
| 代理機構 | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人 | 上海鼎陽通半導體科技有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)自由貿易試驗區(qū)蔡倫路1690號3幢412室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種超結器件,包括:相互隔開的柵極結構一和柵極結構二;柵極結構一包括柵介質層一和電極材料一,柵極結構二包括柵介質層二和電極材料二;電極材料一連接到柵極;電極材料二連接到源極;柵極結構一形成溝道一的閾值電壓一大于柵極結構二形成溝道二的閾值電壓二;超結器件正向導通時,柵極所加的電壓大于閾值電壓一,溝道一導通,溝道二截止,寄生體二極管截止;超結器件反向導通時,柵極所加的電壓小于閾值電壓一,溝道一截止,寄生體二極管正向導通,閾值電壓二要求小于寄生體二極管的正向導通壓降,溝道二導通,通過溝道二導通減少N型柱表面區(qū)域的空穴濃度,從而降低超結器件的最大反向恢復電流。 |





