一種薄膜晶體管生長工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210595740.5 申請日 -
公開（公告）號 CN103066129A 公開（公告）日 2013-04-24
申請公布號 CN103066129A 申請公布日 2013-04-24
分類號 H01L29/786(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 紀(jì)成友;賈道峰 申請（專利權(quán)）人 青島紅星化工集團(tuán)自力實業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 266000 山東省青島市李滄區(qū)四流北路35號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種IGBZO?TFT生長工藝及TFT流片工藝，該IGBZO生長工藝包括：1)腐蝕ITO玻璃；2)生長IGBZO復(fù)合層結(jié)構(gòu)，其中，IGBZO復(fù)合層TFT器件后期制備流程包括1)刻蝕Al；2)濕法腐蝕IGBZO。在TFT流片工藝中，注意在有源層IGBZO生長過程，減少材料缺陷、優(yōu)化溝道電導(dǎo)性能，控制柵絕緣層IGBZO的尺寸生長。從而獲得低驅(qū)動電壓、高開關(guān)比的TFT器件。