一種薄膜晶體管
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201210595754.7 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN103077973A | 公開(公告)日 | 2013-05-01 |
| 申請公布號 | CN103077973A | 申請公布日 | 2013-05-01 |
| 分類號 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 紀成友;賈道峰 | 申請(專利權(quán))人 | 青島紅星化工集團自力實業(yè)有限公司 |
| 代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 266000 山東省青島市李滄區(qū)四流北路35號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管器件及其制作方法。本器件包括襯底11、源漏極19、有源層17、絕緣層15以及柵極13,其中有源層為含VIB族金屬氧化物。各結(jié)構(gòu)層采用真空蒸發(fā)方法和濺射方法制備??蓪崿F(xiàn)工藝大為簡化,性能更加優(yōu)良。 |





