底柵結(jié)構(gòu)的低壓ZnO薄膜晶體管的制備工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210597153.X 申請日 -
公開（公告）號 CN103094122A 公開（公告）日 2013-05-08
申請公布號 CN103094122A 申請公布日 2013-05-08
分類號 H01L21/336(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 紀成友;賈道峰 申請（專利權(quán)）人 青島紅星化工集團自力實業(yè)有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 266000 山東省青島市李滄區(qū)四流北路35號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種底柵結(jié)構(gòu)的低壓ZnO透明薄膜晶體管的制備工藝，包括：清潔襯底步驟；制備柵極步驟；制備絕緣層步驟；ZnO:Al溝道層的沉積步驟；源、漏極的制備步驟。上述制備絕緣層步驟、ZnO:Al溝道層的沉積步驟以及源、漏極的制備步驟均在室溫下進行。