一種用高精度低壓比較器組成的高閾值電壓比較電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010152060.7 申請日 -
公開（公告）號 CN101964648B 公開（公告）日 2012-06-27
申請公布號 CN101964648B 申請公布日 2012-06-27
分類號 H03K5/22(2006.01)I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 楊維明;潘希武;楊武韜;吳國婧;張豪杰;楊道虹 申請（專利權(quán)）人 武漢博而碩微電子有限公司
代理機構(gòu) 武漢金堂專利事務(wù)所 代理人 湖北大學(xué);武漢博而碩微電子有限公司
地址 430062 湖北省武漢市武昌區(qū)學(xué)院路11號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的目的是提出了一種用高精度低壓比較器實現(xiàn)高閾值比較的電路，該電路主要是由低壓運放omp1，omp2，電阻R1，R2，R3，M2，M3，M1，M4組成，M2與M3是寬長比為1∶1的PMOS，構(gòu)成電流鏡，M1與M4是兩個高壓場效應(yīng)管，omp2用作比較器。本發(fā)明與普通方法相比線路簡單，功耗低，大大降低成本，用低壓器件實現(xiàn)高閾值比較，擴大使用范圍。把高閾值平移到低閾值范圍給低壓比較器作為輸入就可以實現(xiàn)用低壓比較器實現(xiàn)高閾值的比較，本發(fā)明也可以采用單片集成工藝技術(shù)(BCD工藝)集成化生產(chǎn)。