鋁電解電容器用低壓陽極箔的表面納米布孔方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200410064340.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN1598985A 公開（公告）日 2005-03-23
申請公布號(hào) CN1598985A 申請公布日 2005-03-23
分類號(hào) H01G9/055;H01G13/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林昌健;宋延華;孫嵐;譚幗英;譚惠忠 申請（專利權(quán)）人 肇慶華鋒電子鋁箔有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門南強(qiáng)之路專利事務(wù)所 代理人 廈門大學(xué);肇慶華鋒電子鋁箔有限公司;廣東華鋒新能源科技股份有限公司;肇慶市高要區(qū)華鋒電子鋁箔有限公司
地址 361005福建省廈門市思明南路422號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 鋁電解電容器用低壓陽極箔的表面納米布孔方法，涉及一種箔表面布孔方法，尤其是一種用于鋁電解電容器的低壓陽極箔表面納米布孔的方法。鋁光箔經(jīng)表面清洗、電化學(xué)拋光，拋光液的組成為磷酸∶硫酸∶甘油＝80～160∶0.1～1∶50～100，拋光后的鋁箔置于磷酸溶液中，在20～120V電壓下進(jìn)行一次陽極氧化，然后用磷酸和鉻酸的混合溶液一次除膜至表面露出鋁基體；用與一次氧化相同的實(shí)驗(yàn)條件進(jìn)行二次氧化和二次除膜。通過調(diào)節(jié)工藝參數(shù)，可以調(diào)整布孔孔洞密度和孔徑，其中孔徑大小可以在50～300nm之間變化，以適用于不同應(yīng)用范圍的低壓箔?？蓪?shí)現(xiàn)低壓陽極鋁箔表面的高密度納米級(jí)布孔，可大幅度提高低壓陽極鋁箔的體積比電容。