支撐結(jié)構(gòu)以及藍寶石單晶爐
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201621419100.9 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN206328488U | 公開(公告)日 | 2017-07-14 |
| 申請公布號 | CN206328488U | 申請公布日 | 2017-07-14 |
| 分類號 | C30B17/00;C30B29/20 | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 戎峻;楊勇;陳翼;吳勇強 | 申請(專利權(quán))人 | 青海晶煜晶體科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 吳開磊 |
| 地址 | 810000 青海省西寧市城中區(qū)創(chuàng)業(yè)路122號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實用新型涉及藍寶石晶體生長技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種支撐結(jié)構(gòu)以及藍寶石單晶爐,該支撐結(jié)構(gòu)包括鉬盤、氧化鋯磚層和支柱,氧化鋯磚層鋪設(shè)在鉬盤的底部;支柱的底端穿設(shè)在鉬盤和氧化鋯磚層,且支柱的頂端與藍寶石單晶爐的坩堝底部之間具有間隙,這種支撐結(jié)構(gòu)使得藍寶石單晶爐的系統(tǒng)具有更好的保溫效果,減小了單個晶體的功率消耗,晶體中的軸向和徑向溫度梯度減小,同時減小了晶體中的熱應(yīng)力和位錯密度,并且支柱與坩堝底部間距可調(diào),使得底部傳熱量可以得到調(diào)整,進而影響坩堝內(nèi)部的溫度梯度,從而生長出形狀理想、內(nèi)部缺陷少的高質(zhì)量、高品質(zhì)的藍寶石單晶。 |





