功率控制用驅(qū)動電路
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201410331421.2 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN105099420B | 公開(公告)日 | 2017-12-15 |
| 申請公布號 | CN105099420B | 申請公布日 | 2017-12-15 |
| 分類號 | H03K17/687(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 嚴(yán)舒 | 申請(專利權(quán))人 | 鹽城詠恒投資發(fā)展有限公司 |
| 代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 224000 江蘇省鹽城市鹽都區(qū)鹽龍街道吳徐村七組(D) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種可使被控功率控制器件(MOSFET或IGBT)的開通和關(guān)斷時間較短,驅(qū)動電流足夠大的功率控制用驅(qū)動電路。其包括:驅(qū)動電路前級,用于根據(jù)外部送入的PWM信號或邏輯信號控制其電壓輸出端的輸出電壓;N?MOSFET,其柵極接驅(qū)動電路前級的電壓輸出端;該N?MOSFET的柵極與源極之間設(shè)有第一電阻,N?MOSFET的漏極接驅(qū)動電源;P?MOSFET,其柵極接驅(qū)動集成電路的電壓輸出端;N?MOSFET的源極與P?MOSFET的源極之間設(shè)有第二電阻;被控功率控制器件,其柵極串接第三電阻后接P?MOSFET的源極,被控功率控制器件的源極接P?MOSFET的漏極。 |





