DRAM測試方法、電子設(shè)備和存儲介質(zhì)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210046739.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114528164A 公開（公告）日 2022-05-24
申請公布號 CN114528164A 申請公布日 2022-05-24
分類號 G06F11/22（2006.01）I;G06F11/26（2006.01）I 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 宋文杰 申請（專利權(quán)）人 深圳市晶存科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 -
地址 518048廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福保社區(qū)桃花路1-3號達(dá)升大樓2層FB區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種DRAM測試方法，包括以下步驟：獲取DRAM的時序參數(shù)，所述DRAM具有兩個RANK，每個RANK具有對應(yīng)的片選引腳和時鐘使能引腳；根據(jù)所述時序參數(shù)，對所述DRAM進(jìn)行初始化；測試所述DRAM的第一個RANK；待測試完成后，DRAM控制器進(jìn)入自刷新模式；同步第二個RANK的使能時鐘，激活第二個RANK的初始校驗(yàn)參數(shù)，并將片選時鐘由第一個RANK切換至第二個RANK，以對第二個RANK進(jìn)行測試；待第二個RANK測試完成后，所述DRAM控制器退出自刷新模式。根據(jù)本發(fā)明的DRAM測試方法，能夠進(jìn)行兩個RANK之間的切換測試，用同樣的地址能夠表達(dá)兩個部分的DRAM真實(shí)行列地址，從而達(dá)到成倍的提升可測試的DRAM容量。