集成調(diào)制器的低成本可調(diào)諧DFB半導(dǎo)體激光器及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410173909.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103956652A 公開（公告）日 2014-07-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN103956652A 申請(qǐng)公布日 2014-07-30
分類號(hào) H01S5/06(2006.01)I;H01S5/12(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 唐松;李連艷;陳向飛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京華飛光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳建和
地址 210000 江蘇省南京市江寧區(qū)麒麟科技創(chuàng)新園匯智路300號(hào)B座2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種集成調(diào)制器的低成本可調(diào)諧DFB半導(dǎo)體激光器，DFB半導(dǎo)體激光器可調(diào)諧方案通過重構(gòu)-等效啁啾技術(shù)制作，多個(gè)DFB半導(dǎo)體激光器共用一個(gè)調(diào)制器，并且可以通過增加激光器數(shù)目或有源無源集成的方法擴(kuò)展可調(diào)諧的波長范圍；集成的調(diào)制器是半導(dǎo)體光放大器調(diào)制器(SOA)、電吸收調(diào)制器(EAM)或馬赫-曾德爾調(diào)制器(MZM)；可以通過量子阱混雜技術(shù)(QWI)、對(duì)接生長技術(shù)(Butt-joint)或選擇區(qū)域生長技術(shù)(SAG)來實(shí)現(xiàn)，其中量子阱材料基于InP/InGaAsP或InP/AlGaInAs材料體系。本發(fā)明最少只需要一個(gè)調(diào)制用的射頻端口，從而通過簡化封裝設(shè)計(jì)來降低成本，大大提高了實(shí)用性與易用性。