集成調(diào)制器的低成本可調(diào)諧DFB半導(dǎo)體激光器及制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201410173909.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN103956652B | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-08-31 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN103956652B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-08-31 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01S5/06;H01S5/12;H01S5/40 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 唐松;李連艷;陳向飛 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 南京華飛光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京瑞弘專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 陳建和 |
| 地址 | 210000 江蘇省南京市江寧區(qū)麒麟科技創(chuàng)新園匯智路300號(hào)B座2層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種集成調(diào)制器的低成本可調(diào)諧DFB半導(dǎo)體激光器，DFB半導(dǎo)體激光器可調(diào)諧方案通過(guò)重構(gòu)?等效啁啾技術(shù)制作，多個(gè)DFB半導(dǎo)體激光器共用一個(gè)調(diào)制器，并且可以通過(guò)增加激光器數(shù)目或有源無(wú)源集成的方法擴(kuò)展可調(diào)諧的波長(zhǎng)范圍；集成的調(diào)制器是半導(dǎo)體光放大器調(diào)制器(SOA)、電吸收調(diào)制器(EAM)或馬赫?曾德?tīng)栒{(diào)制器(MZM)；可以通過(guò)量子阱混雜技術(shù)(QWI)、對(duì)接生長(zhǎng)技術(shù)(Butt?joint)或選擇區(qū)域生長(zhǎng)技術(shù)(SAG)來(lái)實(shí)現(xiàn)，其中量子阱材料基于InP/InGaAsP或InP/AlGaInAs材料體系。本發(fā)明最少只需要一個(gè)調(diào)制用的射頻端口，從而通過(guò)簡(jiǎn)化封裝設(shè)計(jì)來(lái)降低成本，大大提高了實(shí)用性與易用性。 |
