一種LPDDR基板設計方法、LPDDR基板和電子設備
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202010056038.6 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN111246669B | 公開(公告)日 | 2021-07-30 |
| 申請公布號 | CN111246669B | 申請公布日 | 2021-07-30 |
| 分類號 | H05K3/00(2006.01)I;H05K3/02(2006.01)I;H05K3/18(2006.01)I | 分類 | 其他類目不包含的電技術; |
| 發(fā)明人 | 李虎;譚少鵬 | 申請(專利權)人 | 深圳市德明利技術股份有限公司 |
| 代理機構 | 深圳市道勤知酷知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 何兵;饒盛添 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市福田區(qū)梅林街道梅都社區(qū)中康路136號深圳新一代產業(yè)園1棟A座2501、2401 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明揭示了一種LPDDR基板設計方法、LPDDR基板和電子設備其中,一種LPDDR基板設計方法,包括:在LPDDR基板上確定芯片封裝區(qū);在芯片封裝區(qū)兩端的相鄰區(qū)域分別設置有第一蝕刻區(qū)和第二蝕刻區(qū),其中,第一蝕刻區(qū)和第二蝕刻區(qū)均用于設置第一電鍍引線,第一電鍍引線與LPDDR基板上的待電鍍的電路網絡電連接。本設計方法電鍍引線蝕刻區(qū)域集中,后期檢查方便,幾乎沒有殘留引線線尾,很好地解決了傳統(tǒng)基板設計造成的弊端,滿足了LPDDR基板的性能要求和美觀要求。 |





