一種釹鐵硼重稀土滲透方法及其裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111237731.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113690043B 公開(kāi)（公告）日 2022-02-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN113690043B 申請(qǐng)公布日 2022-02-01
分類號(hào) H01F41/02（2006.01）I;H01F1/057（2006.01）I;C23C14/16（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 房棟;劉英民;姜燕;郝樹(shù)仁;韓雪;胡蝶 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 天津三環(huán)樂(lè)喜新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張海洋
地址 300000天津市濱海新區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)洪澤路22號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉一種釹鐵硼重稀土滲透方法及其裝置，包括主體、中頻電源、冷卻液循環(huán)裝置、補(bǔ)氣裝置與抽真空裝置，主體為密閉結(jié)構(gòu)，中頻電源固定在主體外部，中頻電源通過(guò)電源線分別連接有左銅極板和右銅極板，基板安裝在主體內(nèi)部，基板接地，冷卻液循環(huán)裝置、補(bǔ)氣裝置和抽真空裝置均固定在主體外部，并通過(guò)各自的管路與主體連接，左靶材固定在左銅極板上，右靶材固定在右銅極板上。本發(fā)明采用中頻孿生靶濺射技術(shù)，沉積速率非常快，是直流單靶的數(shù)倍；膜內(nèi)缺陷低，本發(fā)明裝置采用滾筒式結(jié)構(gòu)，可以讓工件表面沉積的鍍膜更均勻,多靶頭以及可旋轉(zhuǎn)靶頭的設(shè)計(jì)，不但可以充分利用裝置內(nèi)部空間，還可實(shí)現(xiàn)靶源的快速切換，減少靶材的更換頻率，提高生產(chǎn)效率。