一種含MAX相界面層的SiCf/SiC復(fù)合材料的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811524813.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN109608217A 公開(kāi)(公告)日 2019-04-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN109608217A 申請(qǐng)公布日 2019-04-12
分類(lèi)號(hào) C04B35/80;C04B35/622;C04B35/84;C04B35/565 分類(lèi) 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕;
發(fā)明人 黃小忠;王春齊;唐云;彭立華 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 湖南博翔新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長(zhǎng)沙市融智專(zhuān)利事務(wù)所 代理人 湖南博翔新材料有限公司;湖南澤睿新材料有限公司
地址 410205 湖南省長(zhǎng)沙市高新開(kāi)發(fā)區(qū)文軒路518號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種含MAX相界面層的SiCf/SiC復(fù)合材料的制備方法,采用磁控濺射的方法對(duì)SiC纖維編織件進(jìn)行沉積,獲得含MAX相界面層的SiC纖維,然后采用先驅(qū)體浸漬裂解的方法陶瓷化獲得SiCf/SiC復(fù)合材料;所述MAX相為T(mén)i3SiC2;所述磁控濺射為先采用TiC靶進(jìn)行磁控濺射,在SiC纖維束或SiC纖維編織件表面獲得0.1~0.2μm的TiC過(guò)鍍層,然后再采用TiC靶材與Si靶雙靶共濺射獲得Ti3SiC2,所述Ti3SiC2的厚度控制為0.6~1.0μm;本發(fā)明首創(chuàng)的采用磁控濺射的方法獲得了含MAX相界面層的SiCf/SiC復(fù)合材料,有效降低了沉積溫度,避免了纖維的損傷,所得界面層在抗氧化性能方面優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)常用的C、BN等界面層。同時(shí)本發(fā)明采用雙先驅(qū)體浸漬法,有效的提升了浸漬效率,并獲得了化學(xué)計(jì)量比的碳化硅陶瓷。