砷化鎵晶體生長(zhǎng)用熱場(chǎng)裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200820004406.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN201158722Y 公開(kāi)（公告）日 2008-12-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN201158722Y 申請(qǐng)公布日 2008-12-03
分類(lèi)號(hào) C30B15/14(2006.01);C30B29/42(2006.01) 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 孫士臻;賈寶申;張洪寶 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 大慶佳昌科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 大慶佳昌科技有限公司;大慶佳昌晶能信息材料有限公司
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法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種砷化鎵晶體生長(zhǎng)用熱場(chǎng)裝置，包括坩堝加熱器和保溫裝置，在加熱器的外圍設(shè)置保溫裝置，在坩堝口部上方裝有觀(guān)測(cè)棒，所述的加熱器包括底部加熱器、下加熱器、上加熱器和頂加熱器，所述的底部加熱器為盤(pán)狀，裝于坩堝底部；所述的下加熱器和上部加熱器均為圓筒狀，分別裝于坩堝下部和上部的周?chē)?；所述的后加熱器為直徑小于所述的坩堝的筒狀，裝于坩堝的頂部上方。其優(yōu)點(diǎn)是：能夠提供相對(duì)穩(wěn)定的生長(zhǎng)砷化鎵晶體所需要的溫度場(chǎng)，具有適當(dāng)?shù)臏囟忍荻?，特別設(shè)置的頂加熱器裝置可以對(duì)生長(zhǎng)出的砷化鎵單晶直接進(jìn)行高溫退火。結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，方便宜行，操作容易。能夠很容易的快速生長(zhǎng)出大直徑(100mm～150mm)、低位錯(cuò)密度的砷化鎵單晶。