一種片上電阻

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121497140.6 申請日 -
公開（公告）號 CN216015364U 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN216015364U 申請公布日 2022-03-11
分類號 H01L23/64（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 應子罡;徐秀波;李廣輝;吳宗桂;楊麗麗;張雄波 申請（專利權）人 北京國科天迅科技股份有限公司
代理機構 北京路浩知識產權代理有限公司 代理人 王毅
地址 100744北京市大興區(qū)北京經濟技術開發(fā)區(qū)科谷一街8號院6號樓7層701室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種片上電阻，涉及電阻技術領域，所述片上電阻包括具有第一寬度的多晶硅層；其中，所述第一寬度為0.18um，本實用新型通過創(chuàng)造性地將多晶硅電阻寬度尺寸由現有技術中的1um減小到有源管的最小柵寬尺寸0.18um，大大降低了片上電阻的面積。即利用了有源管的最小柵寬尺寸實現的更小寬度的多晶硅電阻，同片外方案相比，使得直流失調消除相應的電路減小了4個芯片管腳和兩個片外電容，同片上方案相比，片上電阻面積至少減小到原來的1/3。