用于中子管制造的自成靶

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201620479773.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN205793592U 公開（公告）日 2016-12-07
申請公布號(hào) CN205793592U 申請公布日 2016-12-07
分類號(hào) H05H3/06(2006.01)I 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 汪永安;陸杰;白超良;劉洋 申請（專利權(quán)）人 西安冠能中子探測技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 陳廣民
地址 710123 陜西省西安市長安區(qū)西京路一號(hào)西京學(xué)院內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種用于中子管制造的自成靶，該自成靶包括靶基和靶膜，靶基的一端為靶面，靶膜為鍍制于靶面上的金屬薄膜，靶基的另一端為中空的腔體，腔體內(nèi)安裝有磁鋼和用于固定磁鋼的磁鋼托；靶面是經(jīng)過機(jī)械粗化處理的平面結(jié)構(gòu)或者是經(jīng)過機(jī)械粗化處理的向內(nèi)凹陷的錐面結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型通過在自成靶靶底部設(shè)置磁鋼，產(chǎn)生的磁場可以改變二次電子的運(yùn)動(dòng)方向，減小了二次電子電流，提高了單位有效束流，即提高了中子產(chǎn)額，解決了現(xiàn)有的中子管無法兼顧中子產(chǎn)額、耐溫性能和使用壽命的技術(shù)問題。