一種氮化鎵晶體生長系統(tǒng)的泄放氨工序和生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011455906.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112695373B 公開（公告）日 2021-08-27
申請公布號 CN112695373B 申請公布日 2021-08-27
分類號 C30B7/10;C30B29/40 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 喬焜;邵文鋒;林岳明 申請（專利權）人 國鎵芯科（深圳）半導體科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 518000 廣東省深圳市福田區(qū)華富街道新田社區(qū)彩田路3030號橄欖鵬苑B座2706
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氮化鎵晶體生長系統(tǒng)的泄放氨工序和生長方法，屬于氮化鎵晶體生產(chǎn)技術領域，泄放氨工序包括以下步驟：S1、反應容器內(nèi)的液態(tài)氨自然揮發(fā)形成氣態(tài)氨氣，并排放至尾氣處理裝置中，直至反應容器內(nèi)的壓強恢復至一個大氣壓；S2、打開真空裝置，反應容器內(nèi)的剩余氣態(tài)氨氣抽至尾氣處理裝置中；S3、啟動氮供應裝置，向反應容器內(nèi)充入氮氣，直至反應容器內(nèi)壓強恢復至一個大氣壓；S4、重復S2?S3步驟若干次，真空裝置抽出反應容器內(nèi)的氣體，完成泄放氨工序；本發(fā)明通過氨氣自然排出、抽氣、充氮、再抽氣、再充氮的循環(huán)，將反應容器內(nèi)部的氨氣濃度降至極低，從而大幅度地降低氨氣殘留于反應容器內(nèi)，避免對操作者身體和環(huán)境造成的影響。