電子設(shè)備及其智能卡和存儲(chǔ)設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111143380.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113851161A 公開（公告）日 2021-12-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN113851161A 申請(qǐng)公布日 2021-12-28
分類號(hào) G11C11/16（2006.01）I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 蘇琳琳;何明;邵國(guó)玉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 紫光國(guó)芯微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 耿苑
地址 064199河北省唐山市玉田縣無(wú)終西街3129號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了一種電子設(shè)備及其智能卡和存儲(chǔ)設(shè)備，所述存儲(chǔ)設(shè)備包括：存儲(chǔ)單元陣列，所述存儲(chǔ)單元陣列具有多個(gè)陣列排布的存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元為MRAM存儲(chǔ)單元；其中，所述存儲(chǔ)陣列分為多個(gè)存儲(chǔ)模塊，以形成多個(gè)不同的存儲(chǔ)器。所述存儲(chǔ)設(shè)備中存儲(chǔ)單元為MRAM存儲(chǔ)單元，相對(duì)于傳統(tǒng)的FLASH，大幅提高了存儲(chǔ)單元的密度，實(shí)現(xiàn)了更大的存儲(chǔ)空間，而且有助于實(shí)現(xiàn)更加復(fù)雜的邏輯電路，同時(shí)可以滿足高速讀寫和耐久存儲(chǔ)等需求，適合大數(shù)據(jù)量交互，極高安全性和存儲(chǔ)耐久性等場(chǎng)景需求。