磁控濺射鍍膜腔室、鍍膜機以及鍍膜方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111316908.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113774351B 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN113774351B 申請公布日 2022-03-18
分類號 C23C14/35（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 譚志 申請（專利權(quán)）人 武漢中維創(chuàng)發(fā)工業(yè)研究院有限公司
代理機構(gòu) 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 秦冉冉
地址 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)關(guān)山大道473號光谷新發(fā)展國際中心寫字樓B座第5、6層05-108室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種磁控濺射鍍膜腔室、鍍膜機以及鍍膜方法。該磁控濺射鍍膜腔室包括鍍膜罩，樣品臺以及多個由外到內(nèi)分布的磁控管組。其中，各磁控管組中具有偶數(shù)個磁控管且第1磁控管組的磁控管組中磁控管的數(shù)量≥4，第2磁控管組的磁控管組中磁控管的數(shù)量≥2，磁控管包括內(nèi)磁體和位于內(nèi)磁體兩側(cè)的兩個外磁體，內(nèi)磁體的極性與外磁體的極性相反。第1磁控管組中相鄰的兩個磁控管的外磁體的極性相反，所述第2磁控管組中相鄰的兩個磁控管的外磁體的極性相同。此時第2磁控管組中磁控管的磁力線會向外圍延伸，同時被第1磁控管組中磁控管的磁力線束縛，這樣可以有效提高等離子體的濺射縱深，進而提高大尺寸基材表面鍍層厚度的均勻性。