液晶材料離子密度的測(cè)試方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811182018.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109031732B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109031732B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-26 |
| 分類號(hào) | G01N21/21(2006.01)I;G01N21/59(2006.01)I;G02F1/13(2006.01)I | 分類 | 光學(xué); |
| 發(fā)明人 | 李建;安忠維;胡明剛;李娟利;楊曉哲;萬(wàn)丹陽(yáng);莫玲超;車昭毅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 西安彩晶光電科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 中國(guó)兵器工業(yè)集團(tuán)公司專利中心 | 代理人 | 梁勇 |
| 地址 | 710065陜西省西安市雁塔區(qū)丈八東路168號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種液晶材料中離子密度的測(cè)試方法。通過(guò)對(duì)不同類型介電常數(shù)的液晶材料，選擇合適的液晶分子取向方式和液晶測(cè)試盒，對(duì)注有液晶材料的測(cè)試盒施加三角波電壓，得到電壓?電流曲線，對(duì)其中離子運(yùn)動(dòng)電流峰面積積分，獲得離子密度數(shù)值。該方法避免了液晶分子指向矢旋轉(zhuǎn)帶來(lái)的電流峰干擾，解決了液晶材料中殘留離子的定量測(cè)試難題。本發(fā)明適用于液晶材料的質(zhì)量可靠性測(cè)試評(píng)價(jià)，尤其是液晶材料中離子密度的測(cè)試評(píng)價(jià)。?? |
