一種浮雕型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)及其制作方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010220340.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN113448014A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-09-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113448014A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-28 |
| 分類(lèi)號(hào) | G02B6/13(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I;G02B6/132(2006.01)I;G02B6/124(2006.01)I;G02B27/01(2006.01)I | 分類(lèi) | 光學(xué); |
| 發(fā)明人 | 喬文;羅明輝;李瑞彬;楊博文;李玲;成堂東;朱平;陳林森 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 蘇州蘇大維格科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州簡(jiǎn)理知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 楊瑞玲 |
| 地址 | 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)新昌路68號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種浮雕型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)及其制作方法,包括:提供基底,該基底作為浮雕型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的波導(dǎo)載體;在所述基底上形成圖案形成層,所述圖案形成層的折射率小于所述基底的折射率;在所述圖案形成層上形成有貫穿所述圖案形成層的納米結(jié)構(gòu)圖案;在所述納米結(jié)構(gòu)圖案內(nèi)填充形成光學(xué)結(jié)構(gòu)材質(zhì)層,其中所述光學(xué)結(jié)構(gòu)材質(zhì)層的折射率高于所述圖案形成層,所述光學(xué)結(jié)構(gòu)材質(zhì)層與所述基底層直接接觸;去除所述圖案形成層。本發(fā)明提供的一種浮雕型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)及其制作方法確實(shí)解決了現(xiàn)有技術(shù)中高折射率基底刻蝕難度大的問(wèn)題,另辟蹊徑解決了制造難度,推進(jìn)顯示技術(shù)的發(fā)展。 |





