一種晶硅太陽能電池表面鈍化工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011450716.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112563372A 公開（公告）日 2021-03-26
申請公布號 CN112563372A 申請公布日 2021-03-26
分類號 H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任現坤;楊曉君;仲偉佳;葛永見;曹振;郭瑞靜;陳沖 申請（專利權）人 山東力諾太陽能電力股份有限公司
代理機構 濟南舜源專利事務所有限公司 代理人 牟京霞
地址 250103山東省濟南市歷城區(qū)經十東路30766號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種晶硅太陽能電池表面鈍化工藝，過程為：設定特氣柜中的氣體比例，控制SiH4與NH3體積比為1.5?2:1，并控制進入工作腔內的氣體壓力在20?25Pa之間；設定工作腔中，襯底托臺的加熱溫度為220℃，調整射頻頻率在200?230KHz之間；將潔凈的基片送至工作腔，置于襯底托臺上加熱；運行工藝，完成對電池表面鈍化。該鈍化工藝中，通過控制氣體比例、氣體壓力，使工作腔內維持一定的離子濃度；通過控制襯底托臺的加熱溫度，可避免基片產生裂痕同時利于鈍化膜在基片上生長；通過控制射頻頻率，使工作腔內的離子能夠均勻的生長在基片表面，提高基片表面鈍化層的均勻性，進而達到抑制基片表面缺陷的優(yōu)點。??