一種PIN結(jié)構(gòu)核電池
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202022442243.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN214012523U | 公開（公告）日 | 2021-08-20 |
| 申請公布號 | CN214012523U | 申請公布日 | 2021-08-20 |
| 分類號 | G21H1/06（2006.01）I | 分類 | 核物理；核工程; |
| 發(fā)明人 | 張玲玲 | 申請（專利權(quán)）人 | 無錫華普微電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 無錫市大為專利商標事務所（普通合伙） | 代理人 | 殷紅梅 |
| 地址 | 214135江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道202號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型涉及半導體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種PIN結(jié)構(gòu)核電池，包括半導體材料襯底，所述半導體材料襯底的上部由下而上依次形成P型半導體層、陽極金屬層、放射性同位素層；所述半導體材料襯底的下部形成溝槽結(jié)構(gòu)，所述溝槽結(jié)構(gòu)的上面形成N型半導體層，所述溝槽結(jié)構(gòu)的下面形成陰極金屬層；其中，所述N型半導體層位于所述半導體材料襯底下方。本實用新型提供的PIN結(jié)構(gòu)核電池，解決了I區(qū)過長導致的電子空穴對擴散問題，可以提高對放射性同位素源的探測效率。 |
