干燥多晶硅的方法及系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111416887.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113834315A 公開（公告）日 2021-12-24
申請公布號 CN113834315A 申請公布日 2021-12-24
分類號 F26B21/14（2006.01）I;F26B25/00（2006.01）I 分類 干燥;
發(fā)明人 張?zhí)煊?蔣文武;吳鵬;吳鋒 申請（專利權(quán)）人 江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 趙麗婷
地址 221004江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)楊山路66號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了干燥多晶硅的方法及系統(tǒng)。該方法包括：向多晶硅表面噴射超臨界CO2，以便去除所述多晶硅表面殘留的水分，所述噴射超臨界CO2的過程包括先后進(jìn)行的三個階段，其中：第一階段的噴射壓力為1~3MPa，噴射時間為10~15min；第二階段的噴射壓力為3~5MPa，噴射時間為8~12min；第三階段的噴射壓力為4~6MPa，噴射時間為5~8min，所述第一階段的噴射壓力小于所述第二階段的噴射壓力，所述第二階段的噴射壓力小于所述第三階段的噴射壓力。該干燥多晶硅的方法不僅操作簡單，且能在常溫下進(jìn)行，而且干燥效率高且干燥效果好，還不會引入新的雜質(zhì)，能夠同時保證干燥效果和多晶硅的品質(zhì)。