一種超臨界二氧化碳硅塊清洗裝置、硅塊處理系統(tǒng)及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110749231.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113436998B 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN113436998B 申請公布日 2022-02-18
分類號 H01L21/67（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;B08B7/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳鋒;田新;孫江橋;吳鵬 申請（專利權(quán)）人 江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京錦信誠泰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 倪青華
地址 221004江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)楊山路66號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種超臨界二氧化碳硅塊清洗裝置，包括：槽體，提供硅塊清洗的封閉空間；調(diào)壓裝置，在硅塊清洗前將封閉空間內(nèi)的壓力調(diào)節(jié)至高于二氧化碳的超臨界壓力，且在清洗過程中保持壓力不變；以及，在硅塊清洗完畢后降低槽體內(nèi)壓力，而使得二氧化碳?xì)饣豢販匮b置，在硅塊清洗前將封閉空間內(nèi)的溫度調(diào)節(jié)至高于二氧化碳的超臨界溫度，且在清洗過程中保持溫度不變；壓縮裝置，對來自槽體內(nèi)經(jīng)氣化后的二氧化碳進(jìn)行壓縮而形成液態(tài)的二氧化碳；二氧化碳儲槽，對液態(tài)的二氧化碳進(jìn)行存儲、供給和回收。通過本發(fā)明，可有效將硅塊微孔中的殘留物沖出，使得硅塊表面雜質(zhì)合格。本發(fā)明中還請求保護(hù)一種硅塊處理系統(tǒng)及方法。