一種電子級多晶硅生產(chǎn)用氫氣提純的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110748209.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113233420B 公開（公告）日 2022-02-01
申請公布號 CN113233420B 申請公布日 2022-02-01
分類號 C01B3/56（2006.01）I;C01B3/04（2006.01）I;C01B25/02（2006.01）I;C01B33/03（2006.01）I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 吳鋒;田新;吳鵬 申請（專利權(quán)）人 江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京錦信誠泰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 倪青華
地址 221004江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)楊山路66號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于多晶硅制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電子級多晶硅生產(chǎn)用氫氣提純的方法。其主要技術(shù)方案如下：CVD工藝系統(tǒng)中的尾氣經(jīng)尾氣分離，分離后得到的粗提純氫氣進(jìn)入到活性炭吸附塔系統(tǒng)中進(jìn)行磷化氫的吸附，再經(jīng)過CVD前氫氣處理系統(tǒng)的處理得到的高純氫氣，高純氫氣回到氣相沉積工藝體系中重新使用。本發(fā)明提供的一種電子級多晶硅生產(chǎn)用氫氣提純的方法，采用負(fù)載活性炭和CVD前氫氣處理系統(tǒng)對粗提純氫氣進(jìn)行兩級純化，對磷化氫進(jìn)行針對性的脫除，大幅提高循環(huán)氫氣的純度；且負(fù)載活性炭對粗提純氫氣進(jìn)行先行純化，初步脫除大部分磷化氫，減小CVD前氫氣處理系統(tǒng)對磷化氫的處理量，在保證氫氣純度的同時(shí)，減少設(shè)備成本。