電子級多晶硅清洗方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011290207.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112390259B | 公開（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申請公布號 | CN112390259B | 申請公布日 | 2022-01-28 |
| 分類號 | C01B33/037（2006.01）I;C30B33/10（2006.01）I | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
| 發(fā)明人 | 吳鋒;張?zhí)煊?孫江橋 | 申請（專利權(quán)）人 | 江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 周慧云 |
| 地址 | 221004江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)楊山路66號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了電子級多晶硅清洗方法。該電子級多晶硅清洗方法包括：利用第一至第八清洗液一次對硅塊進(jìn)行清洗處理。第一清洗液為NaOH溶液或KOH溶液；第二清洗液為HNO3、HF、水的混合液；第三清洗液為HNO3、HF、水的混合液，且相對于第二清洗液，第三清洗液中HNO3的濃度較低，HNO3與HF的比例較高；第四清洗液為NH4OH溶液；第五清洗液為HF溶液；第六清洗液為H2O2溶液；第七清洗液為HF溶液，且相對于第五清洗液，第七清洗液中的HF濃度較低；第八清洗液為水。該電子級多晶硅清洗方法可顯著提高硅塊的清洗效果，并使硅塊整體更加圓潤，以便于下游加工。 |
