一種高外量子效率GaN基LED外延片及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410429040.8 申請日 -
公開（公告）號 CN104241468A 公開（公告）日 2014-12-24
申請公布號 CN104241468A 申請公布日 2014-12-24
分類號 H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅紹軍;艾常濤;李鴻建;李四明;靳彩霞;董志江 申請（專利權(quán)）人 迪源光電股份有限公司
代理機構(gòu) 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張瑾
地址 430074 湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)光谷一路227號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明適用于外延片制造領(lǐng)域，提供一種高外量子效率GaN基LED外延片及其制作方法，所述方法包括：在藍寶石襯底上依次生長出GaN成核層、非故意摻雜U-GaN層、N型摻雜GaN層、有源區(qū)MQW層、量子阱保護層、電子阻擋層、P型GaN層、接觸層；所述電子阻擋層為AlN層或者AlN與AlyInzGa1-y-zN形成的超晶格層，0≦y≦1，0≦z≦1，0≦y+z≦1，生長溫度為700～1200℃，厚度為3～100nm。本發(fā)明中，高勢壘的薄層AlN能有效起到電子阻擋層的作用，可以減薄整個P層結(jié)構(gòu)的厚度，可以顯著提高LED器件的外量子效率，而且還可以縮短生長時間，降低生產(chǎn)成本。