一種改進(jìn)的晶圓減薄加工方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410659890.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104409581A 公開（公告）日 2015-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN104409581A 申請(qǐng)公布日 2015-03-11
分類號(hào) H01L33/00(2010.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳沖;陳曉剛;楊廣英;靳彩霞 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 迪源光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張瑾
地址 430074 湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)光谷一路227號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明適用于LED芯片生產(chǎn)領(lǐng)域，提供了一種改進(jìn)的晶圓減薄加工方法，包括：獲得經(jīng)過外延生長(zhǎng)氮化鎵層的晶圓；獲取晶圓的邊緣的倒角度和晶圓面上各點(diǎn)的晶圓厚度；通過計(jì)算邊緣上的多個(gè)晶圓厚度與中心晶圓厚度之間距離，確定所述距離超過閾值的一個(gè)或多個(gè)點(diǎn)；依據(jù)所述一個(gè)或多個(gè)點(diǎn)到晶圓邊緣的經(jīng)長(zhǎng)距離和所述倒角度打磨所述晶圓的邊緣，以便完成所述打磨的晶圓進(jìn)行后續(xù)的減薄工序。通過對(duì)經(jīng)過氮化鎵層處理過的晶圓的邊緣厚度檢測(cè)，識(shí)別不滿足厚度要求的區(qū)域，并結(jié)合晶圓邊緣倒角，對(duì)超過厚度閾值的晶圓邊緣進(jìn)行打磨。從而保證了在后續(xù)的研磨工序中，避免因?yàn)橄灁D壓厚度超過閾值的晶圓邊緣引發(fā)的晶圓最終薄片厚度偏低。