一種發(fā)光二極管外延結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410612381.9 申請日 -
公開（公告）號 CN104332538A 公開（公告）日 2015-02-04
申請公布號 CN104332538A 申請公布日 2015-02-04
分類號 H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李鴻建;沈鑫;靳彩霞;董志江 申請（專利權）人 迪源光電股份有限公司
代理機構 北京匯澤知識產權代理有限公司 代理人 張瑾
地址 430074 湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)光谷一路227號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明適用于發(fā)光二極管技術領域，提供了一種發(fā)光二極管外延結構，外延結構包括：依次排列的襯底1、過渡層2、u型氮化鎵層3、n型氮化鎵層4、量子阱層5和p型氮化鎵層6；所述n型氮化鎵層4的電子濃度漸變，遠離所述量子阱層5側電子濃度高于靠近所述量子阱層5側電子濃度。該發(fā)光二極管外延結構的結構簡單，制作方便，解決現(xiàn)有技術中電流密度分布不均的問題，增加電流擴展，緩解電流分布不均，能有效提高提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率與信賴性。