半導(dǎo)體基板及半導(dǎo)體板制作方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610335492.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN107403778A | 公開(公告)日 | 2017-11-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN107403778A | 申請(qǐng)公布日 | 2017-11-28 |
| 分類號(hào) | H01L23/482;H01L21/48 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 胡川 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 深圳修遠(yuǎn)電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州番禺容大專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 劉新年 |
| 地址 | 322000 浙江省金華市義烏市稠江街道高新路10號(hào)義烏高層次人才創(chuàng)新園標(biāo)準(zhǔn)廠房一號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及提供一種半導(dǎo)體基板及芯片制作方法,其中半導(dǎo)體基板包括:用于制作電路的半導(dǎo)體層、隔離層、和預(yù)留被消減厚度的輔助層;半導(dǎo)體層、隔離層、輔助層依次層疊設(shè)置,輔助層的厚度大于半導(dǎo)體層的厚度。采用所述的半導(dǎo)體基板的芯片制作方法,包括:電路制作過程,在所述半導(dǎo)體基板的半導(dǎo)體層上制作電路;降低厚度過程,對(duì)輔助層進(jìn)行磨削或者蝕刻,消減輔助層的厚度,使半導(dǎo)體基板整體的厚度減小而獲得電路基板;封裝過程,電路基板進(jìn)行封裝獲得芯片。在半導(dǎo)體層上制作電路時(shí),輔助層為半導(dǎo)體層提供輔助支撐,半導(dǎo)體層不易變形,可以保證半導(dǎo)體電路的性能;不再需要輔助層做輔助支撐時(shí),消減輔助層的厚度,使電路基板的厚度大幅下降。 |





