可改善填充均勻性的離子化PVD設(shè)備
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110707392.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113249701A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113249701A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-13 |
| 分類(lèi)號(hào) | C23C14/35（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I | 分類(lèi) | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 周云;宋維聰 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海陛通半導(dǎo)體能源科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 盧炳瓊 |
| 地址 | 201201上海市浦東新區(qū)慶達(dá)路315號(hào)13幢3F | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種可改善填充均勻性的離子化PVD設(shè)備，包括腔體、濺射組件、基座和離子調(diào)節(jié)器；濺射組件位于腔體頂部，基座位于腔體內(nèi)，離子調(diào)節(jié)器位于腔體內(nèi)，且位于濺射組件和基座之間；離子調(diào)節(jié)器包括多個(gè)磁場(chǎng)調(diào)節(jié)單元，多個(gè)磁場(chǎng)調(diào)節(jié)單元相互間隔，并以腔體的中心為中心向外呈放射狀分布；磁場(chǎng)調(diào)節(jié)單元包括片狀磁鐵和電磁線(xiàn)圈中的一種，片狀磁鐵的表面磁場(chǎng)強(qiáng)度沿遠(yuǎn)離腔體中心的方向逐漸增強(qiáng)，且相鄰的片狀磁鐵的磁極面的磁性相反，本發(fā)明經(jīng)改善的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在離子調(diào)節(jié)器的磁場(chǎng)調(diào)節(jié)單元之間的扇形間隙內(nèi)形成逆時(shí)針?lè)较虻乃酱艌?chǎng)而產(chǎn)生作用力，可使金屬陽(yáng)離子從扇形間隙的中間和半中間區(qū)域向邊緣區(qū)域移動(dòng)，由此可提高邊緣離子濃度和深孔填充均勻性。 |
