一種鈷納米涂層改性的富鎳低鈷單晶多元正極材料及其制備方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111182120.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN113903909A | 公開(公告)日 | 2022-01-07 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113903909A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-07 |
| 分類號(hào) | H01M4/505(2010.01)I;H01M4/525(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 田新勇;方勝庭;潘家輝;高彥賓 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 陜西紅馬科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京慕達(dá)星云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 符繼超 |
| 地址 | 715400陜西省渭南市韓城市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)大韓路昝村街道以北 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種鈷納米涂層改性的富鎳低鈷單晶多元正極材料,包括富鎳低鈷單晶多元正極材料內(nèi)核和包覆于富鎳低鈷單晶多元正極材料內(nèi)核表面的鈷納米涂層;其中,鈷納米涂層改性的富鎳低鈷單晶多元正極材料的化學(xué)通式為L(zhǎng)ixNiaCobMncM1?a?b?cO2·yLCO;鈷納米涂層由鈷源和沉淀劑反應(yīng)得到;以Co計(jì),鈷源的質(zhì)量為富鎳低鈷單晶多元正極材料內(nèi)核的0.3%?6.0%。制備方法:(1)稱取各原料;(2)燒結(jié);(3)鈷包覆;(4)熱處理。本發(fā)明通過在富鎳低鈷單晶多元正極材料表面包覆鈷納米涂層,提高富鎳低鈷單晶多元正極材料電子電導(dǎo),降低電池的內(nèi)阻,抑制多次充放電過程中材料的相變,提升了正極材料的循環(huán)性能。 |





