太陽能級(jí)多晶硅制備中的真空固態(tài)揮發(fā)除磷的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010528342.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102452652B 公開（公告）日 2013-03-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN102452652B 申請(qǐng)公布日 2013-03-20
分類號(hào) C01B33/037(2006.01)I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 史珺;程素玲 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海普羅新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海普羅新能源有限公司
地址 201300 上海市浦東新區(qū)宣黃公路2455弄6號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種太陽能級(jí)多晶硅制備中的真空固態(tài)揮發(fā)除磷的方法，包括步驟：1)采用酸洗的方法，去除硅顆粒表面氧化層和晶界上的金屬雜質(zhì)，然后水洗，干燥；2)干燥后的硅顆粒中加入納米級(jí)二氧化硅粉，混合后壓片；3)將壓片后的混合物在真空下進(jìn)行加熱保溫。本發(fā)明無需將硅熔化，能耗低，并且操作容易。