去除固體硅中硼雜質(zhì)的方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201010202674.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN102285657B | 公開(公告)日 | 2013-03-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN102285657B | 申請(qǐng)公布日 | 2013-03-20 |
| 分類號(hào) | C01B33/037(2006.01)I | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
| 發(fā)明人 | 史珺;佟晨;宗衛(wèi)峰;水川 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 上海普羅新能源有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 上海普羅新能源有限公司 |
| 地址 | 201206 上海市浦東新區(qū)惠南鎮(zhèn)宣黃公路2455弄6號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種去除固體硅中硼雜質(zhì)的方法,步驟一、將含有硼雜質(zhì)的固體硅粉碎形成硅粉;步驟二、將硅粉放入一加熱爐中并進(jìn)行氧化,在硅粉顆粒的表面形成二氧化硅層,利用高溫以及形成的硅和二氧化硅固體界面促使硅粉顆粒中靠近表面的硼向二氧化硅中轉(zhuǎn)移、硅粉顆粒中間的硼向表面邊緣擴(kuò)散;步驟三、氧化的同時(shí)還對(duì)硅粉顆粒進(jìn)行吹氧,促使二氧化硅中的硼氧化并逸出,并隨氧氣氛被排出加熱爐腔;步驟四、降溫取出硅粉,用氫氟酸去除硅粉顆粒表面形成的二氧化硅層。本發(fā)明能以很低的成本去除硅中的硼元素,從而降低硅中的硼濃度,且能夠使硼濃度很容易從工藝上得到控制。 |





