寬范圍大電流高維持電壓的雙端ESD集成保護器件及其制備方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201510008849.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN104617094B | 公開(公告)日 | 2018-04-17 |
| 申請公布號 | CN104617094B | 申請公布日 | 2018-04-17 |
| 分類號 | H01L27/04;H01L21/77 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 廖智;趙建明;黃平;徐開凱;趙國;鐘思翰;王威;胡興微;徐彭飛;蔣澎湃;陳勇;夏建新 | 申請(專利權(quán))人 | 四川綠然電子科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 石家莊科誠專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 電子科技大學(xué);四川藍彩電子科技有限公司;四川綠然電子科技有限公司;上海朕芯微電子科技有限公司 |
| 地址 | 611731 四川省成都市高新區(qū)(西區(qū))西源道2006號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種寬范圍大電流高維持電壓的雙端ESD集成保護器件及其制備方法,其中寬范圍大電流高維持電壓的雙端ESD集成保護器件由下至上依次設(shè)有金屬層,N+襯底、N?外延層、二氧化硅層,所述N?外延層頂端設(shè)有兩個對稱的、貫通二氧化硅層的P+有源區(qū),所述每個P+有源區(qū)的外圍設(shè)有保護環(huán),在所述保護環(huán)的外圍還設(shè)有場限環(huán),P+型有源區(qū)通過接觸孔引出兩個金屬電極,并在接觸孔四周的二氧化硅層上設(shè)有金屬場板。本發(fā)明采用兩個背靠背二極管結(jié)構(gòu)的雙端集成器件作為高壓ESD保護器件,具有結(jié)構(gòu)簡單、成本低、耐壓性高等優(yōu)點。本發(fā)明適用于高電壓下對器件的ESD/ESO的保護。 |





