集成式二極管鏈功率MOS防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510008547.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN104505390B | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-03-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN104505390B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-03-15 |
| 分類號(hào) | H01L27/02（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 趙建明; 徐開(kāi)凱; 廖智; 黃平; 趙國(guó); 鐘思翰; 徐彭飛; 胡興微; 蔣澎湃 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 四川綠然電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 石家莊科誠(chéng)專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 電子科技大學(xué); 四川藍(lán)彩電子科技有限公司; 四川綠然電子科技有限公司; 上海朕芯微電子科技有限公司 |
| 地址 | 611731 四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種集成式二極管鏈功率MOS防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，它包括由若干個(gè)MOS單元一起構(gòu)成的功率MOS結(jié)構(gòu)，和由兩組反向并聯(lián)的二極管鏈構(gòu)成的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的等效輸出端并接在所述功率MOS結(jié)構(gòu)的柵極和源極兩端；所述二極管鏈的開(kāi)啟電壓大于功率MOS結(jié)構(gòu)最大柵源工作電壓，且小于柵氧化層的最小擊穿電壓。本發(fā)明的集成式二極管鏈功率MOS防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)寄生電容小、防護(hù)效果更好、工作更可靠，且充當(dāng)ESD防護(hù)的二極管單元設(shè)于n?外延上并且與MOS單元相隔離，使得制造工藝簡(jiǎn)單、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定并且與MOS器件工藝相兼容。本發(fā)明的集成式二極管鏈功率MOS防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，適用于大功率、高電壓條件下對(duì)器件進(jìn)行保護(hù)工作。 |
