帶接反保護的開路檢測電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110644062.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113359063A 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN113359063A 申請公布日 2021-09-07
分類號 G01R31/54（2020.01）I;G01R1/36（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 張超;牛智文;王雪艷 申請（專利權(quán)）人 賽卓電子科技（上海）股份有限公司
代理機構(gòu) 上海段和段律師事務所 代理人 祁春倪;郭國中
地址 200120上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)云漢路979號2樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種帶接反保護的開路檢測壓電路，包括防接反PMOS管、耗盡型NMOS管、負壓產(chǎn)生電路；低導通電壓PMOS管產(chǎn)生耗盡型NMOS管漏端電壓VD，用來控制電路整體的通斷；耗盡型NMOS管產(chǎn)生源端電壓VS經(jīng)負載調(diào)整輸出電壓；負壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生耗盡型NMOS管柵端電壓VG控制耗盡型NMOS管的導通與截止。本發(fā)明采用低導通電壓PMOS管，適用于輸入電壓較低的場合。采用了低導通電壓PMOS管，避免了因開路檢測電路模塊電源反接電流過大而出現(xiàn)芯片燒毀。采用了耗盡型NMOS管，解決芯片在RL為5kΩ～500kΩ范圍內(nèi)，GND開路后VOUT輸出電壓值小于4.75V的問題。