基于電光調(diào)制器及驅(qū)動(dòng)電路的三維集成器件及方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111070544.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113777809A 公開(kāi)（公告）日 2021-12-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113777809A 申請(qǐng)公布日 2021-12-10
分類號(hào) G02F1/035（2006.01）I;G02B6/42（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 黃北舉;張贊允;陳弘達(dá) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州微光電子融合技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州三英知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 周仁青
地址 215212江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道558
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示了一種基于電光調(diào)制器及驅(qū)動(dòng)電路的三維集成器件及方法，所述器件包括驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)、及集成于驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)上的電光調(diào)制器，所述電光調(diào)制器包括層疊設(shè)置于驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)上的隔離層、倒脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、包層、及行波電極，所述倒脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括氮化硅層及位于氮化硅層上方的鈮酸鋰單晶薄膜，氮化硅層中形成有若干刻蝕區(qū)域，所述行波電極與驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)電氣連接。本發(fā)明中驅(qū)動(dòng)電路與電光調(diào)制器通過(guò)垂直三維集成和通孔的方式進(jìn)行電氣連接，可將驅(qū)動(dòng)電路中的高頻電信號(hào)傳輸?shù)诫姽庹{(diào)制器的行波電極中，通過(guò)電光效應(yīng)將高頻信號(hào)加載到氮化硅/鈮酸鋰光波導(dǎo)的光波中，從而實(shí)現(xiàn)電信號(hào)到光信號(hào)的轉(zhuǎn)換。