芯片的篩片方法、裝置及篩片設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111471252.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114295955A 公開（公告）日 2022-04-08
申請公布號 CN114295955A 申請公布日 2022-04-08
分類號 G01R31/28（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 鄧冏 申請（專利權(quán)）人 山東岱微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 張?jiān)婪?/td>
地址 250103山東省濟(jì)南市歷城區(qū)彩石街道商業(yè)街D區(qū)23號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N芯片的篩片方法、裝置及篩片設(shè)備，該方法包括：對多個(gè)樣品芯片進(jìn)行板級測試，將在極限溫度下正常工作且結(jié)溫值處于第一預(yù)定范圍內(nèi)的樣品芯片確定為第一目標(biāo)芯片，獲取多個(gè)第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值和振蕩頻率值，并確定靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值；對第一目標(biāo)芯片進(jìn)行FT測試，將在預(yù)定時(shí)間內(nèi)的結(jié)溫溫升值在第二預(yù)定范圍內(nèi)的第一目標(biāo)芯片確定為第二目標(biāo)芯片；對第二目標(biāo)芯片進(jìn)行板級測試，將在極限溫度下正常工作的第二目標(biāo)芯片確定為第三目標(biāo)芯片，獲取第三目標(biāo)芯片在FT測試中的結(jié)溫溫升值，得到結(jié)溫溫升閾值；根據(jù)靜態(tài)電流閾值、振蕩頻率閾值和結(jié)溫溫升閾值對待測試芯片進(jìn)行篩片，解決了篩片功耗限制低導(dǎo)致芯片良率低的問題。