一種離子注入模型的參數(shù)提取方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811609198.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109753709A 公開(kāi)（公告）日 2019-05-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN109753709A 申請(qǐng)公布日 2019-05-14
分類號(hào) G06F17/50 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 張澤龍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州珂晶達(dá)電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京科億知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 湯東鳳
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道1355號(hào)國(guó)際科技園內(nèi)B501單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種離子注入模型的參數(shù)提取方法，其將蒙特卡羅仿真模型的數(shù)值仿真結(jié)果以注入深度?離子濃度的形式導(dǎo)出得到散點(diǎn)數(shù)據(jù)，并形成曲線，針對(duì)單峰曲線，將其分為4段區(qū)域，并針對(duì)其中第一、二區(qū)域采用聯(lián)合半高斯擬合，針對(duì)第三、四區(qū)域采用尾函數(shù)與聯(lián)合半高斯函數(shù)的線性組合進(jìn)行擬合；針對(duì)雙峰曲線，將其分為5段區(qū)域，并針對(duì)第一、二、四、五區(qū)域采用聯(lián)合半高斯函數(shù)擬合，針對(duì)第三區(qū)域采用兩個(gè)聯(lián)合半高斯函數(shù)的組合函數(shù)進(jìn)行擬合，大大提高了離子注入模型的擬合精度。