一種離子注入模型的參數提取方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201811609198.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN109753709A | 公開(公告)日 | 2019-05-14 |
| 申請公布號 | CN109753709A | 申請公布日 | 2019-05-14 |
| 分類號 | G06F17/50 | 分類 | 計算;推算;計數; |
| 發(fā)明人 | 張澤龍 | 申請(專利權)人 | 蘇州珂晶達電子有限公司 |
| 代理機構 | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 湯東鳳 |
| 地址 | 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道1355號國際科技園內B501單元 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種離子注入模型的參數提取方法,其將蒙特卡羅仿真模型的數值仿真結果以注入深度?離子濃度的形式導出得到散點數據,并形成曲線,針對單峰曲線,將其分為4段區(qū)域,并針對其中第一、二區(qū)域采用聯(lián)合半高斯擬合,針對第三、四區(qū)域采用尾函數與聯(lián)合半高斯函數的線性組合進行擬合;針對雙峰曲線,將其分為5段區(qū)域,并針對第一、二、四、五區(qū)域采用聯(lián)合半高斯函數擬合,針對第三區(qū)域采用兩個聯(lián)合半高斯函數的組合函數進行擬合,大大提高了離子注入模型的擬合精度。 |





