氧化鋅薄膜沉積設備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201120400506.3 申請日 -
公開（公告）號 CN202359197U 公開（公告）日 2012-08-01
申請公布號 CN202359197U 申請公布日 2012-08-01
分類號 C23C16/455(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李一成;趙函一;許國青 申請（專利權）人 理想耀銳（浙江）能源科技有限公司
代理機構 上海信好專利代理事務所（普通合伙） 代理人 理想能源設備（上海）有限公司;理想耀銳（浙江）能源科技有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)居里路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種氧化鋅薄膜沉積設備，其沉積腔的頂板與噴淋頭之間形成有氣體混合區(qū)，并引入有反應氣體；經(jīng)由所述噴淋頭上開設的若干氣體分配孔，將反應氣體引入至噴淋頭與基板支承座之間形成的反應區(qū)中；通過改變噴淋頭中氣體分配孔的形狀或尺寸或其在噴淋頭上的布置結構，或者其中至少兩個的結合，使得氣體混合區(qū)內的氣壓能夠提高，因此在保持反應區(qū)中的氣壓不變時，增大了氣體混合區(qū)與反應區(qū)之間的壓力差，從而使反應氣體能以較高的速度噴出，并以適當?shù)乃俣鹊竭_基片表面進行ZnO薄膜的沉積處理，有效提高了反應氣體的利用率和ZnO薄膜的沉積速率。