Co-MOF陣列膜衍生氧化鈷原型氣體傳感器及其大面積批量化制備方法和用途

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210230916.0 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN114460144A 公開（公告）日 2022-05-10
申請公布號(hào) CN114460144A 申請公布日 2022-05-10
分類號(hào) G01N27/12（2006.01）I;C08J5/18（2006.01）I;C08J7/00（2006.01）I;C08L87/00（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 朱麗萍;陳雪華 申請（專利權(quán)）人 浙江大學(xué)溫州研究院
代理機(jī)構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 -
地址 310058浙江省杭州市西湖區(qū)余杭塘路866號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種Co?MOF陣列膜衍生氧化鈷原型氣體傳感器及其大面積批量化制備方法和用途，采用簡便快速的室溫生長策略，直接在預(yù)制電極的襯底表面原位生長了形貌、膜厚和尺寸可調(diào)的鈷基金屬有機(jī)框架（Co?MOF）薄膜,通過退火工藝獲得Co3O4原型器件，可直接用于氣敏性能測試，實(shí)現(xiàn)了材料/器件一體化。該傳感器表現(xiàn)出優(yōu)異的三乙胺氣敏性能。本發(fā)明原料方法設(shè)備簡單，綠色環(huán)保，操作簡便可控，生產(chǎn)周期短，成本低，性能穩(wěn)定，可重復(fù)性好，有利于大規(guī)模推廣應(yīng)用。原位成膜技術(shù)的引入克服了傳統(tǒng)的粉體成膜方式的缺陷，為大面積、低成本、簡單高效的原型器件提供了切實(shí)可行的技術(shù)路線。